**歐姆龍激光光電開關，日本OMRON激光光電開關選型參數
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激光型光電開關與目前常用的非相干光型光電開關雖同屬光電開關一類，
但由于它是由相干性極強的半導體激光器制成，與后者相比，有著檢測距離遠、探測位置精度*、可供選用的波長范圍寬，
即從可見光到紅外波段多達十余種品種等顯著的優(yōu)點，因而有著十分廣闊的新的應用領域。
半導體激光器是利用半導體晶體材料產生激光的器件，它和其他激光器一樣，具有相干性*、方向性強、發(fā)散角小、
亮度*等特點，并且還有著體積小、效率*、調制方便等獨特的優(yōu)點。
因而，這一產品在集成光學、光纖通信、光纖傳感、激光測距、光貯存、激光印刷、**工程等領域有著廣泛應用。
利用半導體激光器制作光電開關，是其在光電傳感技術方面的一個成功用例導體激光二極管的基本結構如圖所示，
垂直于結面的一對平行平面構成法布里——珀羅諧振腔，它們可以是半導體晶體的解理面
也可以是經過拋光的平面。其余兩側面則相對粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光作用。
半導體中的光發(fā)射通常起因于載流子的復合。當半導體的結加有正向電壓時，會削弱結勢壘，迫使電子從區(qū)經結注入區(qū)，
空穴從區(qū)經過結注入區(qū)，這些注入結附近的非平衡電子和空穴將會發(fā)生復合，從而發(fā)射出波長為λ的光子，其公式如下：
λ式中—普朗克常數；—光速；—半導體的禁帶寬度。
上述由于電子與空穴的自發(fā)復合而發(fā)光的現象稱為自發(fā)輻射。當自發(fā)輻射所產生的光子通過半導體時，一旦經過已發(fā)射的電子—空穴對附近，
就能激勵二者復合，產生新光子，這種光子誘使已激發(fā)的載流子復合而發(fā)出新光子現象稱為受激輻射。
如果注入電流足夠大，則會形成和熱平衡狀態(tài)相反的載流子分布，即粒子數反轉。當有源層內的載流子在大量反轉情況下，
少量自發(fā)輻射產生的光子由于諧振腔兩端面往復反射而產生感應輻射，造成選頻諧振正反饋，或者說對某一頻率具有增益。
當增益大于吸收損耗時，就可從結發(fā)出具有良*譜線的相干光——激光，這就是激光二極管的簡單原理。
隨著技術和工藝的發(fā)展，目前實際使用的半導體激光二極管具有復雜的多層結構。
圖為日本三洋公司的紅光半導體激光二極管的結構。

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